本期作者简介
庞洁，毕业于浙江大学医学院，医学硕士，主治医师，从事心血管疾病的诊治及相关研究，主持省自然基金1项，卫生厅课题1项，参与多项省部级课题。
本期指导作者简介
丁亚辉，医院心血管内科主任医师，科副主任，浙江省医坛新秀，硕士生导师，年度最佳医生和最佳下沉专家。担任浙江省康复医学会心脏介入与心衰康复专业委员会副主任委员，浙江省医学会血栓与止血分会青委会副主任委员，浙江省医学会心血管病学分会青年委员。主要从事冠状动脉介入诊疗技术，完成超例手术。曾赴美国、日本、以色列等国家学习。目前主持省级课题1项，厅级课题3项。以第一作者、通信作者（含共同）在国内外期刊杂志发表论文20余篇。授权国家实用新型专利4项。
皮下ICD（S-ICD）预防心源性猝死安全有效，且可以减少导线相关并发症。然而，与经典的经静脉（TV）ICD研究相比，既往S-ICD研究入选的患者合并症少、左心功能不全比例低，因过感知导致不适当电击（IAS）较高。UNTOUCHED研究旨在通过优化的程控和增强的鉴别算法对接受S-ICD植入患者进行不恰当电击评估。方法：这是一项多国、前瞻性、非随机研究，美国、加拿大和欧洲共家中心参与，纳入LVEF≤35%且无心动过缓起搏适应证以及CRT适应症的一级预防患者，植入第2代（A）或第3代（A）S-ICD设备，对启用或未启用SMARTPassTM过滤算法的S-ICD进行程控，对频率介于-次/min的心率进行形态学鉴别，对≥次/分的心率进行电击治疗。主要研究终点定义为不恰当电击发生率，并且与MADIT-RIT研究得出的数值（91.6%）进行对比。采用Kaplan-Meier分析评估IAS无事件率、全因休克和并发症。采用多变量分析来确定危险因素。结果：年6月至年2月，例患者尝试S-ICD植入，最终例患者纳入随访分析。（表1、2）该队列平均年龄为55.8±12.4岁，女性25.6%，黑人23.4%，缺血性心肌病53.5%，有症状性心力衰竭87.7%，平均LVEF为26.4±5.8%。所有患者随访18个月结果显示，无不恰当电击达95.9%，显著高于MADIT-RIT（P0.）（图1）。在多变量模型中，有房颤病史、非缺血性病因、LVEF较低的患者发生IAS的风险较高（分别为P=0.、0.、P=0.）（图2）。8.5%有房颤病史的患者接受了IAS，阵发性房颤（9.6%）、持续性房颤（8.6%）患者的IAS发生率高于永久性房颤（4.2%）。减少不适当电击的多变量预测因素为三切口技术（P=0.）、植入第三代S-ICD（P=0.），第3代患者的IAS率为2.9%，第2代患者的IAS率为6.0%。表3总结了不当电击的病因。45例（4.1%）患者发生了不恰当电击，其中T波过感知比例为1.6%。无患者因鉴别错误而接受不适当的电击。18个月的无电击率为90.6%(LCL89.0%)，达到了预定的目标85.8%（图3）。全因电击的重要预测因素是有房颤史和低左心室射血分数(P=、P=)共有58例患者经历了64次适当的放电。首次成功率为93.8%，最终成功率为98.4%(63/64)。一例复律失败是次/分的单型性室速，首次电击后室速频率下降到了bpm以下，从而抑制了进一步治疗。后来事件自行终止，患者仅有头晕，未晕厥。18个月时无并发症率为92.7%（图4）结论：对于入选该研究植入S-ICD的患者，在有基础心脏疾病心功能较差的情况下，通过优化的程控和增强的鉴别算法能保证S-ICD的不恰当放电率保持在很低的水平（3.1%/年），低于目前经静脉ICD，进一步证实了S-ICD的安全性。降低IAS发生率的预测因素包括：植入最新一代的设备、采用三切口技术、无房颤病史和缺血性病因。之江心学评述：低EF患者植入ICD预防猝死已成为目前指南推荐的标准治疗方案。由于担心S-ICD的不恰当放点率高的问题，医生们在低EF患者使用S-ICD上是有所顾虑的。UNTOUCHED研究通过优化的程控和增强的鉴别算法降低了不恰当电击的风险，甚至低于目前经静脉的ICD，为S-ICD扩大应用范围提供了循证医学的证据。研究还阐明了降低不恰当放电的预测因素，有利于临床医生在应用前选择。
参考文献
GoldMR,etal.PrimaryResultsfromtheUnderstandingOut